三星正式宣布3nm工艺量产 这意味三星在新一代工艺上抢先台积电量产

　　一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了 3nm 工艺量产，这意味着三星在新一代工艺上抢先了台积电量产，并且首次量产 GAA 晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后者要到 2nm 节点才会用上 GAA 工艺。

　　根据三星所说，在 3nm 芯片上，其放弃了之前的 FinFET 架构，采用了新的 GAA 晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

　　与 5nm 相比，第一代 3nm 工艺能够降低 45% 的功耗，减少 16% 的面积，并同时提升 23% 的性能，第二代的 3nm 工艺可以降低 50% 的功耗，提升 30% 的性能，同时面积减少 35%，效果更好。

　　对于三星抢先量产 3nm GAA 工艺，韩国媒体及专家自己表态积极，但台湾的分析师态度就不一样了，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为三星就是赶鸭子上架。

　　之所以这么评价，杨瑞临认为 GAA 晶体管生态目前完全没有成熟，相关的蚀刻及测量问题还没有解决，材料、化学品也要提升。

　　此外，他不看好三星 3nm GAA 工艺的原因还跟成本有关，认为三星现在这样做会增加成本，交付期延长，良率提升慢，品控也不见得好，进而导致三星难以对客户报价，目前 3nm GAA 工艺只有三星自己在用，不会有外部的客户使用。
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