中科院院士：中国光刻技术与国外差距15-20年

　　据半导体投资联盟报道，9 月 17 日，2019 中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开，中科院院士刘明在演讲中指出，国内的光刻技术与国外技术差距仍为 15～20 年，是集成电路领域中差距最大的环节。

　　关于光刻胶技术，刘明表示，我国在 EUV 光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展。但总的来说，国内的光刻技术与国外技术差距仍为 15～20 年，是集成电路领域中差距最大的环节。

　　在逻辑器件方面，刘明指出，国内在低功耗新原理逻辑器件的机理、模型、材料、结构和集成技术上开展了前瞻性研究。国内优势企业、高校和研究所在硅基逻辑器件的成套先导技术上开展了系统研究，为产业发展提供了技术知识产权的帮助。

　　另外，刘明还表示，中国在新型存储器前沿和关键技术等方面均开展了系统研究;学术界与产业界合作紧密，开发了 RRAM、PRAM 和 MRAM 的大规模集成工艺。

　　最后，刘明强调，IC 的快速发展是信息化的核心和基础，器件持续微缩的 More than Moore 路线，我国很难实现超越，但这是创新的基础，必须夯实，没有弯道可走。

　　据悉，目前荷兰 ASML 公司的 EUV 光刻机已经可以制造 7nm 及以下工艺，但是国内的光刻机只能做到 90nm 工艺级别，多数是用在低端生产线上，或者是面板生产线上。
　　（邯郸网站建设）